| 项目 | 描述 | |
| 断面加工台 | 平面研磨台 | |
| 气源 | 氩气(Ar) | |
| 加速电压 | 0-6Kv | |
| 最大研磨速率﹡¹﹡²（硅材质） | 约300μm/h﹡¹﹡² |
约20μm/h﹡³（点） 约2μm/h﹡⁴（面） |
| 最大样品尺寸 | 20（W）×12(D)×7(H)mm | Φ50×25(H)mm |
| 样品移动范围 | X±7mm,Y0－＋3mm | X0－＋5mm |
| 旋转角度 | - | 1r/m，25r/m |
| 摆动角度 | ±15°，±30°，±40° | ±60°，±90° |
| 倾斜 | - | 0-90° |
| 气体流量控制系统 | 流量调节器 | |
| 排气系统 | 涡轮分子泵(33L/S)+机械泵(50Hz时，135L/min,60Hz时，162L/min) | |
| 仪器外观尺寸 | 616（W）×705(D)×312(H)mm | |
| 仪器重量 | 主机48kg+机械泵28Kg | |
| 可选附件 | 光学显微镜（用于观测研磨中的样品） | |
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﹡¹：此研磨速率是对研磨板边缘处的硅材质的材料研磨至100μm粒度时所获得的最大深度值 ﹡²：此研磨速率是对硅材质的材料进行研磨两小时后获得的平均值 ﹡³：照射角度60°偏心值4mm ﹡⁴:照射角度0°偏心值0mm |
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